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文献
J-GLOBAL ID：200902178772503046
整理番号：98A0510720
GaAs(111)B基板の四面体形状の凹みに形成したInGaAs/GaAs量子ドット構造の陰極線ルミネセンス
Cathodoluminescence study of InGaAs/GaAs quantum dot structures formed on the tetrahedral-shaped recesses on GaAs (111)B substrates.
SEKIGUCHI T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SAKUMA Y
(Fujitsu Ltd., Atsugi, JPN)
,
AWANO Y
(Fujitsu Ltd., Atsugi, JPN)
,
YOKOYAMA N
(Fujitsu Ltd., Atsugi, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 83 号： 9 ページ： 4944-4950 発行年： 1998年05月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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