文献
J-GLOBAL ID:200902178912126590
整理番号:93A0753832
低温加工のポリシリコンTFT用に液相堆積で形成されるSiO2のための新技術
Novel Technique for SiO2 Formed by Liquid-Phase Deposition for Low-Temperature Processed Polysilicon TFT.
著者 (4件):
YEH C-F
(National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
LIN S-S
(National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHEN C-L
(National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
YANG Y-C
(National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
14
号:
8
ページ:
403-405
発行年:
1993年08月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)