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文献
J-GLOBAL ID：200902178912540524
整理番号：01A0945275
不揮発性メモリ応用用SrRuO3電極を持つエピタキシャル強誘電体PbZrxTi1-xO3薄膜キャパシタの成長と特性化
Growth and characterization of epitaxial ferroelectric PbZrxTi1-xO3 thin film capacitors with SrRuO3 electrodes for non-volatile memory applications.
GUERRERO C
(Univ. Barcelona, Barcelona, ESP)
,
ROLDAN J
(Univ. Barcelona, Barcelona, ESP)
,
FERRATER C
(Univ. Barcelona, Barcelona, ESP)
,
GARCIA-CUENCA M V
(Univ. Barcelona, Barcelona, ESP)
,
SANCHEZ F
(Univ. Barcelona, Barcelona, ESP)
,
VARELA M
(Univ. Barcelona, Barcelona, ESP)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 45 号： 8 ページ： 1433-1440 発行年： 2001年08月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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