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文献
J-GLOBAL ID：200902179101001050
整理番号：02A0633435
SiおよびSiGeデバイスの階層的2-D DD(ドリフト-拡散)およびHD(流体力学)雑音シミュレーション 第二部:結果
Hierarchical 2-D DD and HD Noise Simulations of Si and SiGe Devices. Part II: Results.
JUNGEMANN C
(Univ. Bremen, Bremen, DEU)
,
NEINHUES B
(Univ. Bremen, Bremen, DEU)
,
DECKER S
(Infineon Technol. AG, Munich, DEU)
,
MEINERZHAGEN B
(Univ. Bremen, Bremen, DEU)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 49 号： 7 ページ： 1258-1264 発行年： 2002年07月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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