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文献
J-GLOBAL ID：200902179159961089
整理番号：00A0808495
注入酸素による分離基板上の25nm長チャネル金属ゲートP型Schottkyソース-ドレイン金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ
A 25-nm-long Channel Metal-Gate p-Type Schottky Source/Drain Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor on Separation-by-Implanted-Oxygen Substrate.
ITOH A
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
SAITOH S
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
ASADA M
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39 号： 8 ページ： 4757-4758 発行年： 2000年08月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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