文献
J-GLOBAL ID:200902179322491630
整理番号:97A0704967
III族窒化物半導体へのイオン注入 ドーピング及び欠陥研究用のツール
Ion implantation in group III-nitride semiconductors: a tool for doping and defect studies.
著者 (1件):
ZOLPER J C
(Sandia National Lab., New Mexico, USA)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
178
号:
1/2
ページ:
157-167
発行年:
1997年06月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
文献レビュー
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)