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文献
J-GLOBAL ID：200902179397265287
整理番号：98A0847917
低圧の有機金属気相エピタクシーにおけるGaNの成長モードに及ぼす窒化したサファイア表面のSi/N処理の影響
The effect of the Si/N treatment of a nitridated sapphire surface on the growth mode of GaN in low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy.
HAFFOUZ S
(Centre de Rech. Hetero-epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA)
,
LAHRECHE H
(Centre de Rech. Hetero-epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA)
,
VENNEGUES P
(Centre de Rech. Hetero-epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA)
,
DE MIERRY P
(Centre de Rech. Hetero-epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA)
,
BEAUMONT B
(Centre de Rech. Hetero-epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA)
,
OMNES F
(Centre de Rech. Hetero-epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA)
,
GIBART P
(Centre de Rech. Hetero-epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 73 号： 9 ページ： 1278-1280 発行年： 1998年08月31日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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