文献
J-GLOBAL ID:200902179478554054
整理番号:97A0097602
SOI-MOSFETにおける自己加熱諸効果と,それらの小信号コンダクタンス手法による測定
Self-Heating Effects in SOI MOSFET’s and Their Measurement by Small Signal Conductance Techniques.
著者 (5件):
TENBROEK B M
(Univ. Southampton, Southampton, GBR)
,
LEE M S L
(Univ. Southampton, Southampton, GBR)
,
REDMAN-WHITE W
(Univ. Southampton, Southampton, GBR)
,
BUNYAN R J T
(Defence Res. Agency, Malvern, GBR)
,
UREN M J
(Defence Res. Agency, Malvern, GBR)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
43
号:
12
ページ:
2240-2248
発行年:
1996年12月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)