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文献
J-GLOBAL ID：200902179480925485
整理番号：98A0564669
低速Heイオンビームで調べたSi(100)-2×1:H及びSi(100)-1×1:2H表面上の水素の表面反跳過程
Surface-recoil processes of hydrogen on Si(1 0 0)-2×1:H and Si(1 0 0)-1×1:2H surfaces studied by low-energy He ion beams.
SHOJI F
(Kyushu Kyoritsu Univ., Fukuoka, JPN)
,
YAMADA A
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
SHIRAMIZU T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
OURA K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 135 号： 1/4 ページ： 366-371 発行年： 1998年02月
JST資料番号： H0899A ISSN： 0168-583X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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