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文献
J-GLOBAL ID：200902179493023081
整理番号：01A0976270
シリコン膜のエキシマレーザ結晶化における基板埋込みシードを用いた位置制御結晶島の形成
Formation of location-controlled crystalline islands using substrate-embedded seeds in excimer-laser crystallization of silicon films.
VAN DER WILT P C
(Delft Univ. Technol., Delft, NLD)
,
VAN DIJK B D
(Delft Univ. Technol., Delft, NLD)
,
BERTENS G J
(Delft Univ. Technol., Delft, NLD)
,
ISHIHARA R
(Delft Univ. Technol., Delft, NLD)
,
BEENAKKER C I M
(Delft Univ. Technol., Delft, NLD)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 79 号： 12 ページ： 1819-1821 発行年： 2001年09月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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