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文献
J-GLOBAL ID：200902179567013407
整理番号：00A0157641
MgをドープしたGaN バルク結晶中および金属有機化学蒸着によってAl2O3上に成長させた層中の同じ欠陥
Mg-doped GaN: Similar defects in bulk crystals and layers grown on Al2O3 by metal-organic chemical-vapor deposition.
LILIENTAL-WEBER Z
(Lawrence Berkeley National Lab., California)
,
BENAMARA M
(Lawrence Berkeley National Lab., California)
,
SWIDER W
(Lawrence Berkeley National Lab., California)
,
WASHBURN J
(Lawrence Berkeley National Lab., California)
,
GRZEGORY I
(High Pressure Res. Center “Unipress”, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
,
POROWSKI S
(High Pressure Res. Center “Unipress”, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
,
LAMBERT D J H
(Univ. Texas at Austin, Texas)
,
EITING C J
(Univ. Texas at Austin, Texas)
,
DUPUIS R D
(Univ. Texas at Austin, Texas)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 75 号： 26 ページ： 4159-4161 発行年： 1999年12月27日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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