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文献
J-GLOBAL ID：200902179814495703
整理番号：00A0382675
a-Si:H薄膜トランジスタの漏れ電流に及ぼす背面チャネルプラズマエッチングの影響
Effect of Back-Channel Plasma Etching on the Leakage Current of a-Si:H Thin Film Transistors.
YI C
(Pohang Univ. Sci. and Technol. (POSTECH), Pohang, KOR)
,
RHEE S-W
(Pohang Univ. Sci. and Technol. (POSTECH), Pohang, KOR)
,
PARK S-H
(Samsung Electronics Co., Kiheung, KOR)
,
JU J-H
(Samsung Electronics Co., Kiheung, KOR)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39 号： 3A ページ： 1051-1053 発行年： 2000年03月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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