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文献
J-GLOBAL ID：200902179944204166
整理番号：96A0774095
歪および無歪Si金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタにおける二次元電子のフォノン支配移動度の比較
Comparative study of phonon-limited mobility of two-dimensional electrons in strained and unstrained Si metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.
TAKAGI S
(Stanford Univ., California)
,
HOYT J L
(Stanford Univ., California)
,
WELSER J J
(Stanford Univ., California)
,
GIBBONS J F
(Stanford Univ., California)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 80 号： 3 ページ： 1567-1577 発行年： 1996年08月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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