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文献
J-GLOBAL ID：200902179996147330
整理番号：98A0198256
平坦でない基板上の6H-および4H-SiCのホモエピタクシー
Homoepitaxy of 6H and 4H SiC on nonplanar substrates.
NORDELL N
(Industrial Microelectronics Center, Kista, SWE)
,
KARLSSON S
(Industrial Microelectronics Center, Kista, SWE)
,
KONSTANTINOV A O
(ABB Corporate Res., Kista, SWE)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 72 号： 2 ページ： 197-199 発行年： 1998年01月12日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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