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文献
J-GLOBAL ID：200902180030822803
整理番号：01A0645280
MOCVDにより成長したアンドープGaNエピタクシー薄膜におよぼす希釈アンモニア流速の影響
Effect of diluted ammonia flow rate on undoped GaN epitaxial films grown by MOCVD.
JUANG F-S
(National Huwei Inst. Technol., Huwei, TWN)
,
CHU T K
(National Huwei Inst. Technol., Huwei, TWN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 225 号： 2/4 ページ： 145-149 発行年： 2001年05月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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