文献
J-GLOBAL ID:200902180116773813
整理番号:00A0020866
原料交互供給下での気相成長CuGaS2層へのZn不純物の選択的添加と成長層の特性
Site-selective Zn doping for CuGaS2 layers grown by Vapor Phase Epitaxy under alternate source feeding condition.
著者 (6件):
中垣雄一朗
(長岡技科大)
,
熊倉弘道
(長岡技科大)
,
加藤有行
(長岡技科大)
,
青木(松本)珠緒
(長岡技科大)
,
内富直隆
(長岡技科大)
,
飯田誠之
(長岡技科大)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
99
号:
361(CPM99 87-101)
ページ:
45-50
発行年:
1999年10月15日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)