文献
J-GLOBAL ID:200902180235801540
整理番号:00A0479719
高性能0.18μm SOI CMOS技術
High Performance 0.18μm SOI CMOS Technology.
著者 (9件):
LEOBANDUNG E
(IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY)
,
SHERONY M
(IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY)
,
CHU W
(IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY)
,
SADANA D
(IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY)
,
BOIAM R
(IBM Microelectronics Div., VT)
,
WHITE F
(IBM Microelectronics Div., VT)
,
ASSADERAGHI F
(IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY)
,
BIERY G
(IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY)
,
SHAHIDI G
(IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
1999
ページ:
679-682
発行年:
1999年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)