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文献
J-GLOBAL ID：200902180248407506
整理番号：02A0755438
半導体A(シリコン) 0.1μm時代の高品質SOIウエハー技術
Semiconductor A. (Silicon). High-quality SOI wafer technology for the 0.1μm era.
米原隆夫
(キヤノン ELTRAN事業推進セ)
,
近江和明
(キヤノン ELTRAN事業推進セ)
,
中山潤
(キヤノン ELTRAN事業推進セ)
,
坂口清文
(キヤノン ELTRAN事業推進セ)
,
佐藤信彦
(キヤノン ELTRAN事業推進セ)
,
山方憲二
(キヤノン ELTRAN事業推進セ)
,
柳田一隆
(キヤノン ELTRAN事業推進セ)
,
柿崎恵男
(キヤノン ELTRAN事業推進セ)
資料名：
応用物理
(JSAP International)
巻： 71 号： 9 ページ： 1102-1112 発行年： 2002年09月10日
JST資料番号： F0252A ISSN： 0369-8009 CODEN： OYBSA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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