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文献
J-GLOBAL ID：200902180295291400
整理番号：94A0546725
イオン注入法によるCVDダイヤモンド薄膜に対するβ-SiC緩衝層の合成
Production of β-SiC buffer layers for CVD diamond thin films by ion implantation.
VON MUENCH W
(Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU)
,
WIEBACH S
(Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU)
資料名：
Diamond and Related Materials
(Diamond and Related Materials)
巻： 3 号： 4/6 ページ： 500-505 発行年： 1994年04月
JST資料番号： W0498A ISSN： 0925-9635 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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