文献
J-GLOBAL ID:200902180314841638
整理番号:97A0770185
RFプラズマ増強CVDによるメチル-トリクロロ-シランからの炭化けい素の薄膜成長
Thin film growth of silicon carbide from methyl-trichloro-silane by RF plasma-enhanced CVD.
著者 (4件):
KANEKO T
(Sci. Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
MIYAKAWA N
(Sci. Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SONE H
(Sci. Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
IIJIMA M
(Sci. Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
174
号:
1/4
ページ:
658-661
発行年:
1997年04月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)