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文献
J-GLOBAL ID：200902180333828839
整理番号：00A0742424
TiNiSn1-xSbxハーフホイスラー系におけるSbドーピングの熱電特性
Thermoelectric properties of Sb-doping in the TiNiSn1-xSbx half-heusler system.
BHATTACHARYA S
(Clemson Univ., SC, USA)
,
PONNAMBALAM V
(Univ. Virginia, VA, USA)
,
POPE A L
(Clemson Univ., SC, USA)
,
ALBONI P N
(Clemson Univ., SC, USA)
,
XIA Y
(Univ. Virginia, VA, USA)
,
TRITT T M
(Clemson Univ., SC, USA)
,
POON S J
(Univ. Virginia, VA, USA)
資料名：
International Conference on Thermoelectrics
(International Conference on Thermoelectrics)
巻： 18th ページ： 336-339 発行年： 1999年
JST資料番号： W1211A ISSN： 1094-2734 資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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