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文献
J-GLOBAL ID：200902180382924010
整理番号：02A0462066
RF熱プラズマ蒸発によるAlドープZnO薄膜の成膜
Preparation of Al-doped ZnO thin films by RF thermal plasma evaporation.
TSUJINO J
(Hokkaido Electric Power Co., Inc., Ebetsu, JPN)
,
HOMMA N
(Hokkaido Electric Power Co., Inc., Ebetsu, JPN)
,
SUGAWARA T
(Hokkaido Industrial Technol. Center, Hakodate, JPN)
,
SHIMONO I
(Hokkaido Industrial Technol. Center, Hakodate, JPN)
,
ABE Y
(Hokkaido Industrial Res. Inst., Sapporo, JPN)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 407 号： 1/2 ページ： 86-91 発行年： 2002年03月22日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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