文献
J-GLOBAL ID:200902180471389277
整理番号:97A0206537
完全空乏化絶縁物上シリコンのSi反転層における一般的な移動度挙動の物理的基礎と制限
Physical basis and limitation of universal mobility behavior in fully depleted silicon-on-insulator Si inversion layers.
著者 (3件):
SHOJI M
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
OMURA Y
(NTT System Electronics Lab., Kanagawa, JPN)
,
TOMIZAWA M
(NTT System Electronics Lab., Kanagawa, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
81
号:
2
ページ:
786-794
発行年:
1997年01月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)