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文献
J-GLOBAL ID：200902180508751931
整理番号：94A0146114
GaAs上における規則的なナノメータスケールのInAsドットの自己組織化成長
Self-organized growth of regular nanometer-scale InAs dots on GaAs.
MOISON J M
(France Telecom, Bagneux, FRA)
,
HOUZAY F
(France Telecom, Bagneux, FRA)
,
BARTHE F
(France Telecom, Bagneux, FRA)
,
LEPRINCE L
(France Telecom, Bagneux, FRA)
,
ANDRE E
(France Telecom, Meylan, FRA)
,
VATEL O
(France Telecom, Meylan, FRA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 64 号： 2 ページ： 196-198 発行年： 1994年01月10日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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