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文献
J-GLOBAL ID：200902180591257056
整理番号：02A0323551
高密度N2/H2およびN2/NH3プラズマ中の原子ラジカルの振舞いとその有機低誘電率薄膜のエッチングに及ぼす影響
Behavior of atomic radicals and their effects on organic low dielectric constant film etching in high density N2/H2 and N2/NH3 plasmas.
NAGAI H
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
TAKASHIMA S
(Nippon Laser & Electronics LAB, Nagoya, JPN)
,
HIRAMATSU M
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
HORI M
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
GOTO T
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 91 号： 5 ページ： 2615-2621 発行年： 2002年03月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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