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文献
J-GLOBAL ID：200902180702685516
整理番号：94A0139423
Transmission electron microscopy specimen preparation technique using focused ion beam fabrication: Application to GaAs metal-semiconductor field effect transistors.
YAMAGUCHI A
(Sumitomo Electric Industries, Ltd., Osaka, JPN)
,
SHIBATA M
(Sumitomo Electric Industries, Ltd., Osaka, JPN)
,
HASHINAGA T
(Sumitomo Electric Industries, Ltd., Yokohama, JPN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 11 号： 6 ページ： 2016-2020 発行年： 1993年11月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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