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文献
J-GLOBAL ID：200902180745885144
整理番号：96A0932377
Clが入った水素化非晶質シリコンを用いた低オフ状態漏れ電流の薄膜トランジスタ
Low off-state leakage current thin-film transistor using Cl incorporated hydrogenated amorphous silicon.
LEE K S
(Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
,
CHOI J H
(Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
,
KIM S K
(Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
,
JEON H B
(Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
,
JANG J
(Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 69 号： 16 ページ： 2403-2405 発行年： 1996年10月14日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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