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文献
J-GLOBAL ID：200902180749115670
整理番号：01A1046376
高速電子照射によるCu(In,Ga)Se2ヘテロ接合太陽電池の欠陥アニーリング
Defect annealing in Cu(In,Ga)Se2 heterojunction solar cells after high-energy electron irradiation.
JASENEK A
(Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU)
,
SCHOCK H W
(Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU)
,
WERNER J H
(Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU)
,
RAU U
(Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 79 号： 18 ページ： 2922-2924 発行年： 2001年10月29日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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