文献
J-GLOBAL ID:200902180900706073
整理番号:98A0349637
酸化膜の化学的機械研磨(CMP)工程にメタル埋め込みパターニングを取り入れることによる物理的,電気的な効果
The Physical and Electrical Effects of Metal-Fill Patterning Practices for Oxide Chemical-Mechanical Polishing Processes.
著者 (9件):
STINE B E
(Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
,
BONING D S
(Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
,
CHUNG J E
(Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
,
CAMILLETTI L
(Digital Equipment Corp., MA, USA)
,
KRUPPA F
(Digital Equipment Corp., MA, USA)
,
EQUI E R
(Digital Equipment Corp., MA, USA)
,
LOH W
(LSI Logic, CA, USA)
,
PRASAD S
(LSI Logic, CA, USA)
,
KAPOOR A
(LSI Logic, CA, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
45
号:
3
ページ:
665-679
発行年:
1998年03月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)