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文献
J-GLOBAL ID：200902180933426874
整理番号：99A0601853
Si基板上に成長させた自己組織化Ge量子ドットにおける中赤外吸収
Mid-infrared absorption in self-assembled Ge quantum dots grown on Si substrate.
WU W-G
(Univ. California/Los Angeles, CA)
,
LIU J-L
(Univ. California/Los Angeles, CA)
,
TANG Y-S
(Univ. California/Los Angeles, CA)
,
JIN G-L
(Univ. California/Los Angeles, CA)
,
WANG K L
(Univ. California/Los Angeles, CA)
資料名：
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻： 3630 ページ： 98-103 発行年： 1999年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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