文献
J-GLOBAL ID:200902180999264816
整理番号:97A0095681
Plasma immersion ion implantation-a fledgling technique for semiconductor processing.
著者 (5件):
CHU P K
(City Univ. Hong Kong, HKG)
,
QIN S
(Northeastern Univ., MA, USA)
,
CHAN C
(Northeastern Univ., MA, USA)
,
CHEUNG N W
(Univ. California, CA, USA)
,
LARSON L A
(Sematech, TX, USA)
資料名:
Materials Science & Engineering. R. Reports
(Materials Science & Engineering. R. Reports)
巻:
17
号:
6/7
ページ:
XIII-XIV,207-280
発行年:
1996年11月30日
JST資料番号:
T0341A
ISSN:
0927-796X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)