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文献
J-GLOBAL ID:200902180999264816   整理番号:97A0095681

Plasma immersion ion implantation-a fledgling technique for semiconductor processing.

著者 (5件):
CHU P K
(City Univ. Hong Kong, HKG)
QIN S
(Northeastern Univ., MA, USA)
CHAN C
(Northeastern Univ., MA, USA)
CHEUNG N W
(Univ. California, CA, USA)
LARSON L A
(Sematech, TX, USA)

資料名:
Materials Science & Engineering. R. Reports  (Materials Science & Engineering. R. Reports)

巻: 17  号: 6/7  ページ: XIII-XIV,207-280  発行年: 1996年11月30日 
JST資料番号: T0341A  ISSN: 0927-796X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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