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文献
J-GLOBAL ID：200902181056893055
整理番号：02A0200701
ZrNの低温酸化により形成した熱的に安定な超薄の窒素化処理を行ったZrO2ゲート誘電体膜
Thermally Stable Ultra-Thin Nitrogen Incorporated ZrO2 Gate Dielectric Prepared by Low Temperature Oxidation of ZrN.
KOYAMA M
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
SUGURO K
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
YOSHIKI M
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
KAMIMUTA Y
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
KOIKE M
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
OHSE M
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
HONGO C
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
NISHIYAMA A
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2001 ページ： 459-462 発行年： 2001年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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