前のページに戻る この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写(冊子体のコピー)をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID:200902181056893055   整理番号:02A0200701

ZrNの低温酸化により形成した熱的に安定な超薄の窒素化処理を行ったZrO2ゲート誘電体膜

Thermally Stable Ultra-Thin Nitrogen Incorporated ZrO2 Gate Dielectric Prepared by Low Temperature Oxidation of ZrN.
著者 (8件):
KOYAMA M
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
SUGURO K
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
YOSHIKI M
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
KAMIMUTA Y
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
KOIKE M
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
OHSE M
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
HONGO C
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
NISHIYAMA A
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)

資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)

巻: 2001  ページ: 459-462  発行年: 2001年 
JST資料番号: C0829B  ISSN: 0163-1918  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写(コピー)して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写(コピー)は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。