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文献
J-GLOBAL ID：200902181081019718
整理番号：96A0895752
(311)B-GaAs上に成長させたInAs/InGaAs自己形成量子ドットの構造的及び光学的特性
Structural and optical characterization of InAs/InGaAs self-assembled quantum dots grown on (311)B GaAs.
NISHI K
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
MIRIN R
(Univ. California at Santa Barbara, California)
,
LEONARD D
(Univ. California at Santa Barbara, California)
,
MEDEIROS-RIBEIRO G
(Univ. California at Santa Barbara, California)
,
PETROFF P M
(Univ. California at Santa Barbara, California)
,
GOSSARD A C
(Univ. California at Santa Barbara, California)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 80 号： 6 ページ： 3466-3470 発行年： 1996年09月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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