文献
J-GLOBAL ID:200902181204915373
整理番号:93A0280894
Czochralski成長シリコンでの固有ゲッタリング中の酸素析出物の形態とクロム析出の透過電子顕微鏡による研究 ランプパルスアニーリングの影響
Transmission Electron Microscopic Study of the Morphology of Oxygen Precipitates and of Chromium Precipitation during Intrinsic Gettering in Czochralski-Grown Silicon: Influence of Lamp Pulse Annealings.
著者 (3件):
KRIEGER-KADDOUR S
(Inst. National des Sciences Appliquees de Lyon, Villeurbanne, FRA)
,
CHABANE-SARI N-E
(Inst. National des Sciences Appliquees de Lyon, Villeurbanne, FRA)
,
BARBIER D
(Inst. National des Sciences Appliquees de Lyon, Villeurbanne, FRA)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
140
号:
2
ページ:
495-500
発行年:
1993年02月
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)