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文献
J-GLOBAL ID：200902181280855649
整理番号：98A0089892
準安定原子で衝撃したSiO2/Si界面における正電荷発生
Positive Charge Generation at a SiO2/Si Interface due to Bombardment with Metastable Atoms.
ONO T
(Hitachi, Ltd., Yamaguchi, JPN)
,
ITABASHI N
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
OCHIAI I
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
YAMAMOTO S
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
MOCHIJI K
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 36 号： 11 ページ： 6718-6721 発行年： 1997年11月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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