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文献
J-GLOBAL ID：200902181297935077
整理番号：98A0198314
Si(001)面の初期の層毎の酸化の速度論
Kinetics of Initial Layer-by-Layer Oxidation of Si(001) Surfaces.
WATANABE H
(Joint Res. Center for Atom Technol., Angstrom Technol. Partnership(JRCAT-ATP), Ibaraki, JPN)
,
KATO K
(Joint Res. Center for Atom Technol., Angstrom Technol. Partnership(JRCAT-ATP), Ibaraki, JPN)
,
UDA T
(Joint Res. Center for Atom Technol., Angstrom Technol. Partnership(JRCAT-ATP), Ibaraki, JPN)
,
FUJITA K
(Joint Res. Center for Atom Technol., Angstrom Technol. Partnership(JRCAT-ATP), Ibaraki, JPN)
,
ICHIKAWA M
(Joint Res. Center for Atom Technol., Angstrom Technol. Partnership(JRCAT-ATP), Ibaraki, JPN)
,
KAWAMURA T
(Yamanashi Univ., Yamanashi, JPN)
,
TERAKURA K
(Joint Res. Center for Atom Technol., National Inst. Advanced Interdisciplinary Res.(JRCAT-NAIR), Ibaraki, JPN)
資料名：
Physical Review Letters
(Physical Review Letters)
巻： 80 号： 2 ページ： 345-348 発行年： 1998年01月12日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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