文献
J-GLOBAL ID:200902181347164379
整理番号:01A0310674
分子ビームエピタクシーによりSi(111)上に成長した高い電子易動度のAlGaN/GaNヘテロ構造
High-electron-mobility AlGaN/GaN heterostructures grown on Si(111) by molecular-beam epitaxy.
著者 (4件):
SEMOND F
(Centre de Rech. Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA)
,
LORENZINI P
(Centre de Rech. Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA)
,
GRANDJEAN N
(Centre de Rech. Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA)
,
MASSIES J
(Centre de Rech. Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
78
号:
3
ページ:
335-337
発行年:
2001年01月15日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)