文献
J-GLOBAL ID:200902181412189821
整理番号:01A0546698
SiGeヘテロ接合バイポーラトランジスタのミリ波特性とシリコン技術におけるモノリシック相互接続
Millimeter-Wave Characteristics of SiGe Heterojunction Bipolar Transistors and Monolithic Interconnects in Silicon Technologies.
著者 (4件):
ZHANG J
(ECE Dep., Vancouver, CAN)
,
JACKSON M K
(ECE Dep., Vancouver, CAN)
,
LONG J R
(U. Toronto., Toronto, CAN)
,
SADR S
(U. Toronto., Toronto, CAN)
資料名:
Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference
(Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻:
44
ページ:
274-275,454
発行年:
2001年02月
JST資料番号:
D0753A
ISSN:
0193-6530
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)