文献
J-GLOBAL ID:200902181439490019
整理番号:98A0986437
n-MOSFETにおけるホットキャリア誘起光電子放出分布の分析
An Analysis of Hot-Carrier-Induced Photoemission Profiles in n-MOSFETs.
著者 (4件):
OHZONE T
(Toyama Prefectural Univ., Toyama, JPN)
,
MATSUYAMA N
(Toyama Prefectural Univ., Toyama, JPN)
,
HOSOI N
(Toyama Prefectural Univ., Toyama, JPN)
,
MATSUDA T
(Toyama Prefectural Univ., Toyama, JPN)
資料名:
Proceedings. IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures
(Proceedings. IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures)
巻:
1998
ページ:
211-215
発行年:
1998年
JST資料番号:
T0991A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)