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文献
J-GLOBAL ID：200902181448506513
整理番号：03A0083997
GaNを含まない構造の高出力365nm紫外発光ダイオード
High Output Power 365nm Ultraviolet Light Emitting Diode of GaN-Free Structure.
MORITA D
(Nichia Corp., Tokushima, JPN)
,
SANO M
(Nichia Corp., Tokushima, JPN)
,
YAMAMOTO M
(Nichia Corp., Tokushima, JPN)
,
MURAYAMA T
(Nichia Corp., Tokushima, JPN)
,
NAGAHAMA S
(Nichia Corp., Tokushima, JPN)
,
MUKAI T
(Nichia Corp., Tokushima, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 41 号： 12B ページ： L1434-L1436 発行年： 2002年12月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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