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文献
J-GLOBAL ID：200902181528905877
整理番号：01A0486844
Si基板上に成長させてホスフィン/水素プラズマに曝露したIn0.49Ga0.51Pの電気的および光学的特性の研究
Investigation of Electrical and Optical Properties of Phosphine/Hydrogen-Plasma-Exposed In0.49Ga0.51P Grown on Si Substrate.
WANG G
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
AKAHORI K
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
SOGA T
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
JIMBO T
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
UMENO M
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 40 号： 3A ページ： L189-L191 発行年： 2001年03月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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