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文献
J-GLOBAL ID：200902181682091025
整理番号：96A1011812
タンタル酸ストロンチウムビスマス(SBT)薄膜の強誘電特性の組成及び処理温度への依存性の解析
Analysis of the Dependence of Ferroelectric Properties of Strontium Bismuth Tantalate (SBT) Thin Films on the Composition and Process Temperature.
NOGUCHI T
(NEC Corp., Kawasaki, JPN)
,
HASE T
(NEC Corp., Kawasaki, JPN)
,
MIYASAKA Y
(NEC Corp., Kawasaki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 35 号： 9B ページ： 4900-4904 発行年： 1996年09月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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