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文献
J-GLOBAL ID：200902182047226000
整理番号：00A0286141
走査型キャパシタンス分光法によるSi系素子のPN接合の描出
pn-junction delineation in Si devices using scanning capacitance spectroscopy.
EDWARDS H
(Texas Instruments, Inc., Texas)
,
UKRAINTSEV V A
(Texas Instruments, Inc., Texas)
,
MARTIN R S
(Texas Instruments, Inc., Texas)
,
JOHNSON F S
(Texas Instruments, Inc., Texas)
,
MENZ P
(Texas Instruments, Inc., Texas)
,
WALSH S
(Texas Instruments, Inc., Texas)
,
ASHBURN S
(Texas Instruments, Inc., Texas)
,
WILLS K S
(Texas Instruments, Inc., Texas)
,
CHANG M-C
(Texas Instruments, Inc., Texas)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 87 号： 3 ページ： 1485-1495 発行年： 2000年02月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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