文献
J-GLOBAL ID:200902182249166815
整理番号:96A0682822
ウエット化学処理によるSi(001)表面の原子スケールでの平坦化及び水素終端
Atomic scale flattening and hydrogen termination of the Si(001) surface by wet-chemical treatment.
著者 (2件):
MORITA Y
,
TOKUMOTO H
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻:
14
号:
3 Pt 1
ページ:
854-858
発行年:
1996年05月
JST資料番号:
C0789B
ISSN:
0734-2101
CODEN:
JVTAD6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)