文献
J-GLOBAL ID:200902182266189624
整理番号:94A0771893
低エネルギ・イオンアシスト酸化による超低温ゲート酸化膜形成
Ultra-low-temperature growth of high-integrity gate oxide films by low-energy ion-assisted oxidation.
著者 (4件):
渡辺仁三
(東北大 工)
,
河合泰明
(東北大 工)
,
小西信博
(東北大 工)
,
大見忠弘
(東北大 工)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
94
号:
194(SDM94 76-82)
ページ:
45-50
発行年:
1994年08月18日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)