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文献
J-GLOBAL ID：200902182310342648
整理番号：00A0001552
反応性マグネトロン共スパッタリングによって作成した非晶質SiC:H膜のインジウムドーピング
Indium doping of amorphous SiC:H films prepared by reactive magnetron co-sputtering.
SAITO N
(Takamatsu National Coll. Technol., Takamatsu, JPN)
,
INUI Y
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
YAMAGUCHI T
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
NAKAAKI I
(Fuji Industrial Res. Inst. Shizuoka Prefecture, Fuji, JPN)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 353 号： 1/2 ページ： 189-193 発行年： 1999年09月29日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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