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文献
J-GLOBAL ID：200902182692208148
整理番号：96A0278724
有機金属化学蒸着で成長させたGaN中の核形成層の発展
Nucleation layer evolution in metal-organic chemical vapor deposition grown GaN.
WU X H
(Univ. California, California)
,
KAPOLNEK D
(Univ. California, California)
,
TARSA E J
(Univ. California, California)
,
HEYING B
(Univ. California, California)
,
KELLER S
(Univ. California, California)
,
KELLER B P
(Univ. California, California)
,
MISHRA U K
(Univ. California, California)
,
DENBAARS S P
(Univ. California, California)
,
SPECK J S
(Univ. California, California)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 68 号： 10 ページ： 1371-1373 発行年： 1996年03月04日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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