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文献
J-GLOBAL ID：200902182782202866
整理番号：01A0138880
有機金属化学気相成長法により成長させたGaInNAs量子井戸レーザの低しきい値電流密度動作
Low threshold current density operation of GaInNAs quantum well lasers grown by metalorganic chemical vapour deposition.
KAWAGUCHI M
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
GOUARDES E
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
SCHLENKER D
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
KONDO T
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
MIYAMOTO T
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
KOYAMA F
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
IGA K
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 36 号： 21 ページ： 1776-1777 発行年： 2000年10月12日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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