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文献
J-GLOBAL ID：200902182827488235
整理番号：97A0950318
III族窒化物半導体の結晶成長と伝導度制御およびその短波長発光素子への応用
Crystal Growth and Conductivity Control of Group III Nitride Semiconductors and Their Application to Short Wavelength Light Emitters.
AKASAKI I
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
AMANO H
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 36 号： 9A ページ： 5393-5408 発行年： 1997年09月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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