文献
J-GLOBAL ID:200902183012689518
整理番号:96A0448566
半導体量子ドットレーザの不均一線広がりとしきい値電流密度
Inhomogeneous line broadening and the threshold current density of a semiconductor quantum dot laser.
著者 (2件):
ASRYAN L V
(Ioffe Physico-Technical Inst., St. Petersburg, SUN)
,
SURIS R A
(Ioffe Physico-Technical Inst., St. Petersburg, SUN)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
11
号:
4
ページ:
554-567
発行年:
1996年04月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)